碳化矽器件在電動汽車領域的應用前景分析-TAOANG

18年來，TAOANG產品從原材料鋁土礦到加工後續產品棕剛玉、精加工白剛玉和緻密剛玉、氣泡剛玉、剛玉微粉。對生產過程進行全面控制，實現對產品質量和價格的控制。

隨著工業的蓬勃發展，全球能源消耗量逐年增加。在我國，機動車污染已成為大氣污染的重要來源、灰燼和光化學煙霧污染的重要原因，機動車污染防治的緊迫性日益突出。節能減排已成為汽車工業發展的一大課題。因此，大力發展新能源汽車是實現節能減排、促進我國汽車工業可持續發展的戰略舉措。主要由矽（Si）基功率器件組成。隨著電動汽車的發展，對電驅動的小型化和輕量化提出了更高的要求。然而，由於材料的限制，傳統的矽基功率器件在很多方面已經接近甚至達到了其材料的固有極限。因此，各汽車廠商對新一代碳化矽（SiC）功率器件寄予厚望。以碳化矽為代表的第三代半導體相比單晶矽、砷化鎵等傳統半導體材料具有顯著優勢，如高耐熱性等。電導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移率和高鍵合能。化學穩定性高、抗輻射能力強，決定了碳化矽在許多領域具有不可替代的地位。主要如下：(1) SiC 具有很高的熱導率（高達 4.9 W/cm•K），是 Si 的 3.3 倍。因此，SiC材料具有良好的散熱效果。理論上，SiC功率器件可以在175℃的結溫下工作，因此可以顯著減小散熱片的體積，適合製作高溫器件。（2）SiC具有較高的擊穿場強，並且其擊穿電場是 Si 的 10 倍，因此適用於高壓開關，並且具有很強的功率處理能力，使 SiC 材料適用於製造大功率、大電流器件。 (3) SiC 具有高飽和電子漂移率，是Si值的2倍，在高場幾乎不衰減，高場處理能力強。因此，SiC材料適用於高頻器件。SiC單晶也是製備技術最成熟的第三代半導體材料。因此，SiC是製造高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。眾所周知，高功率密度、高電壓、大電流的IGBT功率模塊是逆變器中最重要的元件。功率密度越高，電驅動系統設計越緊湊，同樣體積下功率越大。由於 SiC 器件的高電流密度（例如英飛凌產品高達 700 A/cm2），全 SiC 功率模塊封裝尺寸明顯小於相同功率級別的 Si IGBT 功率模塊，大大減小了封裝尺寸。電源模塊。

TAOANG也希望所有觀眾分享您的見解並期待您的信息。